前言
3T QCM-D（qcell/qcell T/qcell μO(píng)pto）是耗散型石英晶體微天平，具有設(shè)計(jì)新穎，簡(jiǎn)便操作的特點(diǎn)，是實(shí)時(shí)無(wú)標(biāo)記表界面分析的原位分析手段，已被廣泛應(yīng)用于學(xué)術(shù)研究及工業(yè)應(yīng)用中。3T QCM-D可用于大量已有或新興的應(yīng)用領(lǐng)域，如納米材料性質(zhì)分析、生物膜和細(xì)胞簇分析、高分子自主裝、細(xì)胞反應(yīng)、蛋白質(zhì)與脂質(zhì)膜的結(jié)合、血液研究等。
3T QCM-D應(yīng)用示例——聚電解質(zhì)多層膜形成過(guò)程監(jiān)測(cè)
通過(guò)聚電解質(zhì)陽(yáng)離子和聚電解質(zhì)陰離子的交替沉積，可實(shí)現(xiàn)聚電解質(zhì)自主裝多層膜的形成。
聚電解質(zhì)多層形成有兩種模式：一種是厚度隨沉積步驟呈線性增加。線性增長(zhǎng)模式中形成的多層膜，一般是致密、有層次且大分子不可滲透的；另一種是厚度隨沉積步驟呈指數(shù)增加。指數(shù)增長(zhǎng)模式中形成的多層膜大多是類(lèi)膠體、缺少結(jié)構(gòu)層次且特定的聚電解質(zhì)和蛋白質(zhì)可滲透的。對(duì)于這兩種不同的形成模式，可通過(guò)QCM-D信號(hào)進(jìn)行模式判斷以及厚度測(cè)定。該現(xiàn)象可通過(guò)兩種不同的典型聚電解質(zhì)多層膜PEI-(PSS/PAH)10和PEI-(PGA/PAH)8來(lái)驗(yàn)證。
圖1. Fig 2 聚電解質(zhì)多層膜構(gòu)建過(guò)程示意圖，通過(guò)清洗、聚陽(yáng)離子沉積、清洗、聚陰離子沉積，清洗的連續(xù)步驟，進(jìn)行多個(gè)循環(huán)，形成聚電解質(zhì)多層膜。
